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“中国功率器件领路人”陈星弼院士逝世,享年89岁

   日期:2019-12-05     评论:0    
核心提示:2019年12月4日17时10分,中国功率器件领路人陈星弼在四川成都逝世,享年89岁。陈星弼,1931年1月出生于上海,1952年毕业于国立同
 2019年12月4日17时10分,“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世,享年89岁。


陈星弼,1931年1月出生于上海,1952年毕业于国立同济大学电机系,先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作,1956年开始在电子科技大学任教,1999年当选中国科学院院士。他是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明人,该发明被称为“功率器件的新里程碑”,其美国发明专利已被超过550个国际专利引用。2018年,在功率半导体领域最顶级的学术年会上,陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂,成为国内首位入选名人堂的华人科学家。
 
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